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掲載日:2017年01月19日
〜水ですすぐだけで油汚れが落ちる 分子組織などの研究成果を発表〜 工学院大学先進工学部コロキウム(研究討論会)を 1月24日に開催

工学院大学(学長:佐藤 光史、所在地:東京都新宿区/八王子市)は、先進工学部のコンセプトに、イノベーティブな研究連携を掲げています。同学部は、八王子キャンパスに研究室を多く構えることから、八王子地域の企業と互いの先進的な科学技術に関する研究に理解を深め、共同研究を進める機会として、第6回コロキウム(研究討論会)を開催します。

■第6回工学院大学先進工学部コロキウム(研究討論会)概要
開催日時:2017年1月24日(火) 15:00〜19:00
開催場所:工学院大学八王子キャンパス 総合教育棟 1N-338講義室
主催  :工学院大学 先進工学部
後援  :八王子商工会議所、多摩信用金庫

<プログラム>
15:00〜15:05 開会の辞

15:05〜15:50 研究テーマ1
「双性イオン高分子ブラシによる汚れない表面の設計」
小林 元康(先進工学部 応用化学科 教授)
材料表面にひも状の高分子を生やし、まるで歯ブラシのような構造にした分子組織(「ポリマーブラシ」)は、10万分の1ミリの薄さだが、材料表面の接着性や防汚性、生体適合性を劇的に変えるはたらきをする。コロキウムでは、双性イオンを結合したポリマーブラシを材料に生やすことで、水ですすぐだけで油汚れが落ちる現象とその仕組みを紹介する。

15:50〜16:35 研究テーマ2
「ワイドギャップ半導体の魅力 〜物性物理からデバイス工学まで〜」
尾沼 猛儀(先進工学部 応用物理学科 准教授)
III-V族窒化物半導体はLED、レーザーダイオードなど様々な光電子デバイスに用いられている。一方、II-VI、III-VI族酸化物半導体は透明導電膜などに用いられているが能動デバイスとして実用化された例は少ない。今回はII-VI、III-VI族酸化物半導体を中心とする新規ワイドギャップ半導体材料の基礎物性を紹介し、期待されるデバイス特性に関して紹介する。

16:35〜16:40 閉会の辞

17:30〜19:00 交流会(17号館B1階)
       一般・教職員3,000円(事前予約不要)、学生 無料(事前予約必要)

【プレスリリース】〜水ですすぐだけで油汚れが落ちる 分子組織などの研究成果を発表〜 工学院大学先進工学部コロキウム(研究討論会)を 1月24日に開催

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